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电子元器件详细资料 » IC[20426] » HAT2165H-EL-E
型号:HAT2165H-EL-E类别:FET - 单制造商:Renesas Electronics America
封装:SC-100,SOT-669描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
系列-
制造商Renesas Electronics America
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C55A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.3 毫欧 @ 27.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs33nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds5180pF @ 10V
功率_最大30W
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-100,SOT-669
供应商设备封装LFPAK
包装带卷 (TR)

供应商

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HECC GROUP CO,LIMITEDSante Zhang/Mollie086-755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
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HAT2165H-EL-E相关型号

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